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零件图片（仅供参考）
XPW4R10ANB,L1XHQ
规格参数
  • 制造商产品型号：XPW4R10ANB,L1XHQ
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）：15V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.4A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 1.5A，5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.1nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：+6V，-4V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：118pF @ 7.5V
  • FET功能：标准
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DSOP Advance
  • XPW4R10ANB,L1XHQ，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：XPW4R10ANB,L1XHQ
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询XPW4R10ANB,L1XHQ的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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