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零件图片（仅供参考）
XPN9R614MC,L1XHQ
规格参数
  • 制造商产品型号：XPN9R614MC,L1XHQ
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：U-MOSVI
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.6 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 500μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：64nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：+10V，-20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3000pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：840mW（Ta），100W（Tc）
  • 工作温度：175°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.6）
  • XPN9R614MC,L1XHQ，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：XPN9R614MC,L1XHQ
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询XPN9R614MC,L1XHQ的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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