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零件图片（仅供参考）
TW070J120B,S1Q
规格参数
  • 制造商产品型号：TW070J120B,S1Q
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：*
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 18A，20V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.8V @ 20mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：67nC @ 20V
  • Vgs（最大值）：±25V，-10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 800V
  • FET功能：标准
  • 功率耗散（最大值）：272W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-3P（N）
  • TW070J120B,S1Q，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：TW070J120B,S1Q
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询TW070J120B,S1Q的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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