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规格参数
制造商产品型号：TPN5R203PL,LQ制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：U-MOSIX-H零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：38A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2mOhm @ 19A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 200μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1975pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：610mW（Ta），61W（Tc）工作温度：175°C安装类型：表面贴装型器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）TPN5R203PL,LQ，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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