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规格参数
制造商产品型号：TPN22006NH,LQ制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：U-MOSVIII-H零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 4.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：710pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：700mW（Ta），18W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）TPN22006NH,LQ，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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