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规格参数
制造商产品型号：TPH7R506NH,L1Q制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：U-MOSVIII-H零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：22A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 11A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 300μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2320pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.6W（Ta），45W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SOP Advance（5x5）TPH7R506NH,L1Q，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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