TPCC8103(TE12L,QM)（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：TPCC8103(TE12L,QM)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：*

零件状态：最後搶購

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 9A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：38nC @ 10V

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：700mW（Ta），27W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）

TPCC8103(TE12L,QM)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TPCC8103(TE12L,QM)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询TPCC8103(TE12L,QM)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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