TPC8A04-H(TE12L,Q)（东芝半导体，单端场效应管，8-SOP）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：TPC8A04-H(TE12L,Q)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.6 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：56nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5700pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

TPC8A04-H(TE12L,Q)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TPC8A04-H(TE12L,Q)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B

产品应用分类：单端场效应管

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