TPC8221-H,LQ(S（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：TPC8221-H,LQ(S

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：6A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 3A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 100μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：830pF @ 10V

功率-最大值：450mW

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

TPC8221-H,LQ(S，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TPC8221-H,LQ(S

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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