TPC8127,LQ(M（东芝半导体，单端场效应管，8-SOP）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：TPC8127,LQ(M

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 6.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 500μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：92nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3800pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）

TPC8127,LQ(M，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TPC8127,LQ(M

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP

产品应用分类：单端场效应管

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