TK8A60W,S4VX（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220SIS）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：TK8A60W,S4VX

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：DTMOSIV

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 毫欧 @ 4A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 400μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：18.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：570pF @ 300V

FET功能：超级结

功率耗散（最大值）：30W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-220SIS

TK8A60W,S4VX，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TK8A60W,S4VX

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询TK8A60W,S4VX的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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