TK6A45DA(STA4,Q,M)（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：TK6A45DA(STA4,Q,M)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：π-MOSVII

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：450V

25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.35 欧姆 @ 2.8A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：490pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-220SIS

TK6A45DA(STA4,Q,M)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TK6A45DA(STA4,Q,M)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询TK6A45DA(STA4,Q,M)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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