TK16J60W,S1VE（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：TK16J60W,S1VE

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：*

零件状态：有源

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

TK16J60W,S1VE，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TK16J60W,S1VE

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询TK16J60W,S1VE的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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