TK12A50E,S4X（东芝半导体，单端场效应管，TO-220SIS）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：TK12A50E,S4X

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 500V TO220SIS

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：500V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：520 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V

功率 - 最大值：45W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商器件封装：TO-220SIS

TK12A50E,S4X，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TK12A50E,S4X

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET N-CH 500V TO220SIS

产品应用分类：单端场效应管

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