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规格参数
东芝半导体公司完整型号: TK100F04K3(TE24L,Q制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220SM系列: -FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压(Vdss): 40V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100A(Ta)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 3 毫欧 @ 50A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 102nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 4500pF @ 10V功率 - 最大值: 180W安装类型: 表面贴装封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装: TO-220SM(W)TK100F04K3(TE24L,Q,东芝半导体(Toshiba)产品一站式供应商。
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