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零件图片（仅供参考）
TK065N65Z,S1F
规格参数
  • 制造商产品型号：TK065N65Z,S1F
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 38A TO247
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：DTMOSVI
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：38A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 19A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.69mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3650pF @ 300V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：270W（Tc）
  • 工作温度：150°C
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-247
  • TK065N65Z,S1F，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：TK065N65Z,S1F
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 650V 38A TO247
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询TK065N65Z,S1F的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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