TJ9A10M3,S4Q(M（东芝半导体，FET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号: TJ9A10M3,S4Q(M

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3

系列: -

FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 9A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 170 毫欧 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 47nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2900pF @ 10V

功率 - 最大值: 19W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3 整包

供应商器件封装: TO-220SIS

TJ9A10M3,S4Q(M，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TJ9A10M3,S4Q(M

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3

产品应用分类：FET - 单

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