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规格参数
制造商产品型号:TJ8S06M3L(T6L1,NQ)制造商:Toshiba Semiconductor and Storage描述:MOSFET P-CH 60V 8A DPAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:U-MOSVI零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):104 毫欧 @ 4A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):19nC @ 10VVgs(最大值):+10V,-20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):890pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):27W(Tc)工作温度:175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:DPAK+TJ8S06M3L(T6L1,NQ),东芝半导体(Toshiba)产品一站式供应商。
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