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零件图片(仅供参考)
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
规格参数
  • 制造商产品型号:TJ30S06M3L(T6L1,NQ
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:U-MOSVI
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):30A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):21.8 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):80nC @ 10V
  • Vgs(最大值):+10V,-20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3950pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):68W(Tc)
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:DPAK+
  • TJ30S06M3L(T6L1,NQ,东芝半导体(Toshiba)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:TJ30S06M3L(T6L1,NQ
  • 原始制造厂商:东芝半导体(Toshiba)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询TJ30S06M3L(T6L1,NQ的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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