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零件图片（仅供参考）
TJ11A10M3,S5Q(M
规格参数
  • 东芝半导体公司完整型号: TJ11A10M3,S5Q(M
  • 制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 100V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 11A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 130 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 69nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 3200pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 24W
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装: TO-220SIS
  • TJ11A10M3,S5Q(M，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：TJ11A10M3,S5Q(M
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
  • 产品应用分类：FET - 单
  • 点击此处查询TJ11A10M3,S5Q(M的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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