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零件图片（仅供参考）
TH58BYG2S3HBAI6
规格参数
  • 东芝半导体公司完整型号: TH58BYG2S3HBAI6
  • 制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能总体简述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA
  • 系列: Benand
  • 格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
  • 存储器类型: EEPROM - NAND
  • 存储容量: 4G（512M x 8）
  • 速度: 25ns
  • 接口: 并联
  • 电压 - 电源: 1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作温度: -40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳: 67-VFBGA
  • 供应商器件封装: 67-VFBGA（6.5x8）
  • TH58BYG2S3HBAI6，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：TH58BYG2S3HBAI6
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67FBGA
  • 产品应用分类：存储器
  • 点击此处查询TH58BYG2S3HBAI6的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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