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零件图片（仅供参考）
TC58BVG1S3HBAI6
规格参数
  • 东芝半导体公司完整型号: TC58BVG1S3HBAI6
  • 制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能总体简述: EEPROM SLC 2GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 系列: Benand
  • 格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
  • 存储器类型: EEPROM - NAND
  • 存储容量: 2G（256M x 8）
  • 速度: 25ns
  • 接口: 并联
  • 电压 - 电源: 2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度: -40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳: 67-VFBGA
  • 供应商器件封装: 67-VFBGA（6.5x8）
  • TC58BVG1S3HBAI6，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
    • 只为成为您值得信赖的东芝半导体供应商
    基本参数：
  • 电子零件型号：TC58BVG1S3HBAI6
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：EEPROM SLC 2GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 产品应用分类：存储器
  • 点击此处查询TC58BVG1S3HBAI6的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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