SSM6P49NU,LF(T（东芝半导体，场效应管阵列，6-UDFN）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：SSM6P49NU,LF(T

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A

系列：-

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.74nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：480pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-UDFN （2x2）

SSM6P49NU,LF(T，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM6P49NU,LF(T

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A

产品应用分类：场效应管阵列

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