SSM6P35FE(TE85L,F)（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SSM6P35FE(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 个 P 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：100mA

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 欧姆 @ 50mA，4V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12.2pF @ 3V

功率-最大值：150mW

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-563，SOT-666

SSM6P35FE(TE85L,F)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM6P35FE(TE85L,F)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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