SSM6P35AFE,LF（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-563，SOT-666）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SSM6P35AFE,LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：U-MOSVII

零件状态：有源

FET类型：2 个 P 沟道（双）

FET功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：250mA（Ta）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 100μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：42pF @ 10V

功率-最大值：150mW（Ta）

工作温度：150°C

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-563，SOT-666

SSM6P35AFE,LF，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM6P35AFE,LF

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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