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零件图片（仅供参考）
SSM6N815R,LF
规格参数
  • 制造商产品型号：SSM6N815R,LF
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：U-MOSVIII-H
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2A（Ta）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：103 毫欧 @ 2A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.1nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：290pF @ 15V
  • 功率-最大值：1.8W（Ta）
  • 工作温度：150°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-SMD，扁平引线
  • SSM6N815R,LF，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SSM6N815R,LF
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询SSM6N815R,LF的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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