SSM6N7002FUTE85LF（东芝半导体，场效应管阵列，US6）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：SSM6N7002FUTE85LF

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：17pF @ 25V

功率 - 最大值：300mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：US6

SSM6N7002FUTE85LF，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM6N7002FUTE85LF

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

产品应用分类：场效应管阵列

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