SSM6N15FE(TE85L,F)（东芝半导体，FET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号: SSM6N15FE(TE85L,F)

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 7.8pF @ 3V

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-563，SOT-666

供应商器件封装: ES6（1.6x1.6）

SSM6N15FE(TE85L,F)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM6N15FE(TE85L,F)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

产品应用分类：FET - 阵列

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