SSM6L56FE,LM（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-563，SOT-666）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SSM6L56FE,LM

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：SMALL-SIGNAL MOSFET 2 IN 1 NCH +

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：800mA（Ta）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：235 毫欧 @ 800mA，4.5V，390 毫欧 @ 800mA，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：55pF @ 10V，100pF @ 10V

功率-最大值：150mW（Ta）

工作温度：150°C

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-563，SOT-666

SSM6L56FE,LM，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM6L56FE,LM

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：SMALL-SIGNAL MOSFET 2 IN 1 NCH +

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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