SSM6L35FE(TE85L,F)（东芝半导体，场效应管阵列，ES6）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：SSM6L35FE(TE85L,F)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180mA，100mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9.5pF @ 3V

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）

SSM6L35FE(TE85L,F)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM6L35FE(TE85L,F)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

产品应用分类：场效应管阵列

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