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零件图片（仅供参考）
SSM6L09FUTE85LF
规格参数
  • 制造商产品型号：SSM6L09FUTE85LF
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：400mA，200mA
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700毫欧 @ 200MA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 100μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：20pF @ 5V
  • 功率-最大值：300mW
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • SSM6L09FUTE85LF，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SSM6L09FUTE85LF
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询SSM6L09FUTE85LF的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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