SSM6K211FE(TE85L,F（东芝半导体，单端场效应管，ES6）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：SSM6K211FE(TE85L,F

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：47 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：510pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）

SSM6K211FE(TE85L,F，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM6K211FE(TE85L,F

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

产品应用分类：单端场效应管

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