SSM6J503NU,LF(T（东芝半导体，单端场效应管，6-UDFN）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：SSM6J503NU,LF(T

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：32.4 毫欧 @ 3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：840pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-UDFN （2x2）

SSM6J503NU,LF(T，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM6J503NU,LF(T

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

产品应用分类：单端场效应管

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