SSM3J35MFV(TL3,T)（东芝半导体，单端场效应管，VESM）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：SSM3J35MFV(TL3,T)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 50mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：12.2pF @ 3V

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：VESM

SSM3J35MFV(TL3,T)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM3J35MFV(TL3,T)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

产品应用分类：单端场效应管

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