SSM3J306T(TE85L,F)（东芝半导体，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：SSM3J306T(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：2.4A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：117 毫欧 @ 1A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：280pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：700mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：TSM

SSM3J306T(TE85L,F)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：SSM3J306T(TE85L,F)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询SSM3J306T(TE85L,F)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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