RN49A1(TE85L,F)（东芝半导体，晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：RN49A1(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2K?, Q1BE

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

零件状态：有源

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA

电压-集射极击穿（最大值）：50V

电阻器-基极(R1)：5.6A（Ta），11.7A（Tc）

电阻器-发射极(R2)：47 千欧

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

电流-集电极截止（最大值）：500nA

频率-跃迁：200MHz，250MHz

功率-最大值：200mW

安装类型：表面贴装型

封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

RN49A1(TE85L,F)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：RN49A1(TE85L,F)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：PNP + NPN BRT, Q1BSR=2.2K?, Q1BE

产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

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