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零件图片(仅供参考)
RN4612(TE85L,F)
规格参数
  • 东芝半导体公司完整型号:RN4612(TE85L,F)
  • 制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
  • 系列:-
  • 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω):22k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:200MHz
  • 功率 - 最大值:300mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商器件封装:SM6
  • RN4612(TE85L,F),东芝半导体(Toshiba)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:RN4612(TE85L,F)
  • 原始制造厂商:东芝半导体(Toshiba)
  • 技术标准参数:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
  • 产品应用分类:阵列﹐预偏压式晶体管
  • 点击此处查询RN4612(TE85L,F)的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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