RN2966FE(TE85L,F)（东芝半导体，晶体管 - 双极（BJT）- 阵列

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：RN2966FE(TE85L,F)

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

零件状态：停产

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA

电压-集射极击穿（最大值）：50V

电阻器-基极(R1)：4.7 千欧

电阻器-发射极(R2)：47 千欧

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率-跃迁：200MHz

功率-最大值：100mW

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-563，SOT-666

RN2966FE(TE85L,F)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：RN2966FE(TE85L,F)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

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