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零件图片（仅供参考）
RN2117MFV(TPL3)
规格参数
  • 东芝半导体公司完整型号：RN2117MFV(TPL3)
  • 制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：4.7k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
  • 频率 - 跃迁：-
  • 功率 - 最大值：150mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-723
  • 供应商器件封装：VESM
  • RN2117MFV(TPL3)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：RN2117MFV(TPL3)
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
  • 产品应用分类：单路﹐预偏压式晶体管
  • 点击此处查询RN2117MFV(TPL3)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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