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零件图片（仅供参考）
RN1910FE(T5L,F,T)
规格参数
  • 制造商产品型号：RN1910FE(T5L,F,T)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器-基极(R1)：4.7 千欧
  • 电阻器-发射极(R2)：-
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 频率-跃迁：250MHz
  • 功率-最大值：100mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SOT-563，SOT-666
  • RN1910FE(T5L,F,T)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：RN1910FE(T5L,F,T)
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 点击此处查询RN1910FE(T5L,F,T)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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