RN1903FE(TE85L,F)（东芝半导体，阵列﹐预偏压式晶体管，ES6）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：RN1903FE(TE85L,F)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

系列：-

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：22k

电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：22k

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：250MHz

功率 - 最大值：100mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：ES6

RN1903FE(TE85L,F)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：RN1903FE(TE85L,F)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

产品应用分类：阵列﹐预偏压式晶体管

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