RN1117MFV(TPL3)（东芝半导体，单路﹐预偏压式晶体管，VESM）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

东芝半导体公司完整型号：RN1117MFV(TPL3)

制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

系列：-

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k

电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：4.7k

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 250μA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：250MHz

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-723

供应商器件封装：VESM

RN1117MFV(TPL3)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：RN1117MFV(TPL3)

原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）

技术标准参数：TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

产品应用分类：单路﹐预偏压式晶体管

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