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零件图片（仅供参考）
MT3S113TU,LF
规格参数
  • 制造商产品型号：MT3S113TU,LF
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压-集射极击穿（最大值）：5.3V
  • 频率-跃迁：11.2GHz
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.45dB @ 1GHz
  • 增益：12.5dB
  • 功率-最大值：900mW
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：3-SMD，扁平引线
  • MT3S113TU,LF，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：MT3S113TU,LF
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
  • 产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
  • 点击此处查询MT3S113TU,LF的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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