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零件图片(仅供参考)
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
规格参数
  • 东芝半导体公司完整型号:HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
  • 制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 频率 - 跃迁:80MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:US6
  • HN1A01FU-Y(T5L,F,T),东芝半导体(Toshiba)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HN1A01FU-Y(T5L,F,T)
  • 原始制造厂商:东芝半导体(Toshiba)
  • 技术标准参数:TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
  • 产品应用分类:晶体管阵列
  • 点击此处查询HN1A01FU-Y(T5L,F,T)的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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