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零件图片(仅供参考)
HN1A01FU-Y,LF
规格参数
  • 制造商产品型号:HN1A01FU-Y,LF
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
  • 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:2 PNP(双)
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):150mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):300mV @ 10mA,100mA
  • 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V
  • 功率-最大值:200mW
  • 频率-跃迁:80MHz
  • 工作温度:125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HN1A01FU-Y,LF
  • 原始制造厂商:东芝半导体(Toshiba)
  • 技术标准参数:TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
  • 产品应用分类:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
  • 点击此处查询HN1A01FU-Y,LF的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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