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零件图片（仅供参考）
GT60N321(Q)
规格参数
  • 制造商产品型号：GT60N321(Q)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1000V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，60A
  • 功率-最大值：170W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：-
  • 25°C时Td（开/关）值：330ns/700ns
  • 测试条件：-
  • 反向恢复时间(trr)：2.5μs
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-3PL
  • GT60N321(Q)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：GT60N321(Q)
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询GT60N321(Q)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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