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零件图片（仅供参考）
GT60M303(Q)
规格参数
  • 东芝半导体公司完整型号：GT60M303(Q)
  • 制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：900V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，60A
  • 功率 - 最大值：170W
  • Switching Energy：-
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：-
  • 25°C 时 Td（开/关）值：460ns/600ns
  • Test Condition：-
  • 反向恢复时间 (trr)：2.5μs
  • 封装/外壳：TO-3PL
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-3P（LH）
  • GT60M303(Q)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：GT60M303(Q)
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
  • 产品应用分类：单路IGBT
  • 点击此处查询GT60M303(Q)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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