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零件图片(仅供参考)
GT50J121(Q)
规格参数
  • 制造商产品型号:GT50J121(Q)
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):50A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):100A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,50A
  • 功率-最大值:240W
  • 开关能量:1.3mJ(开),1.34mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C时Td(开/关)值:90ns/300ns
  • 测试条件:300V,50A,13 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-3PL
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    基本参数:
  • 电子零件型号:GT50J121(Q)
  • 原始制造厂商:东芝半导体(Toshiba)
  • 技术标准参数:IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询GT50J121(Q)的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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