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零件图片(仅供参考)
CRY62(TE85L,Q)
规格参数
  • 东芝半导体公司完整型号:CRY62(TE85L,Q)
  • 制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
  • 系列:-
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V
  • 容差:±10%
  • 功率 - 最大值:700mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):60 欧姆
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 3V
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1V @ 200mA
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOD-123F
  • 供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5)
  • CRY62(TE85L,Q),东芝半导体(Toshiba)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:CRY62(TE85L,Q)
  • 原始制造厂商:东芝半导体(Toshiba)
  • 技术标准参数:DIODE ZENER 6.2V 700MW SFLAT
  • 产品应用分类:单齐纳二极管
  • 点击此处查询CRY62(TE85L,Q)的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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