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零件图片（仅供参考）
4N33(SHORT,F)
规格参数
  • 东芝半导体公司完整型号：4N33(SHORT,F)
  • 制造厂家名称：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 6DIP
  • 系列：-
  • 通道数：1
  • 电压 - 隔离：2500Vrms
  • 电流传输比（最小值）：500% @ 10mA
  • 电流传输比（最大值）：-
  • 打开 / 关闭时间（典型值）：5μs， 100μs （最小值）
  • 上升/下降时间（典型值）：-
  • 输入类型：DC
  • 输出类型：有基极的达林顿晶体管
  • 电压 - 输出（最大值）：30V
  • 电流 - 输出/通道：100mA
  • 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：1.15V
  • 电流 - DC 正向 (If)：80mA
  • Vce 饱和值（最大值）：1V
  • 工作温度：-55°C ~ 100°C
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：6-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 供应商器件封装：6-DIP
  • 4N33(SHORT,F)，东芝半导体（Toshiba）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：4N33(SHORT,F)
  • 原始制造厂商：东芝半导体（Toshiba）
  • 技术标准参数：OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 6DIP
  • 产品应用分类：晶体管，光电输出光隔离器
  • 点击此处查询4N33(SHORT,F)的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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